化合物結晶過程分析：

結構分析用的晶體生長有許多專著。

結晶過程涉及氣體、液體或溶液相中的離子、原子或分子有序的進入固態(tài)中有規(guī)則的位置。結晶過程的初始階段是形成晶核，然后離子、原子或分子在晶核的晶面上逐漸沉積（可被考慮為流體與晶體間的動力學平衡）。當向前速度占支配地位時，晶體就生長。影響平衡的因素包括晶體表面的化學性質(zhì)，被結晶物質(zhì)的濃度，醫(yī)|學教育網(wǎng)搜集整理晶體內(nèi)和晶體周圍介質(zhì)的性質(zhì)。晶體的形成是發(fā)生在出現(xiàn)臨界大小的晶核以后，此時生成自由能由正值，零變?yōu)樨撝?。成核速率隨過飽和度顯著增加，為了限制晶核數(shù)量，過飽和度應盡可能的低，過飽和應慢慢到達，一旦到達這種低程度的過飽和以后，就要小心控制，使少數(shù)幾顆晶核在準平衡狀態(tài)下，慢慢生長。在成核過程中，外部物體，諸如灰塵顆粒，往往使得在成核過程中熱力學上發(fā)生變化，所以這些顆粒要通過離心分離或過濾的方法事先去除。加晶種方法也常是控制晶核數(shù)量一種方法。

低分子量的有機、無機化合物晶體生長的方法大概有以下幾種：

1）單溶劑蒸發(fā)

2）兩元溶劑混和物蒸發(fā)